型号:

FDME510PZT

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Fairchild Semiconductor描述:MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
FDME510PZT PDF
标准包装 1
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 37 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1490pF @ 10V
功率 - 最大 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装 6-MicroFET(1.6x1.6)
包装 标准包装
其它名称 FDME510PZTDKR
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