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元件参数资料
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参数目录39769
> FDME510PZT MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
型号:
FDME510PZT
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDME510PZT PDF
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
37 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1490pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-MicroFET(1.6x1.6)
包装
标准包装
其它名称
FDME510PZTDKR
查看FDME510PZT代理商
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